GaN将成为主要的PA技术,这家美国公司是最大的赢

时间:2019-01-27 08:31 来源:365bet手机投注网址 作者:admin

GaN的晶体结构 该报告估计,在未来5到10年内,GaN将成为3W以上射频功率应用的领先技术。GaAs将根据其稳定性和良好的成本性能保持一定比例。至于段LDMOS将继续下降,规模或市场将减少AIN总体而言,15%,考虑到其成熟度高,成本低,市场对射频能量不会在短期内面临淘汰。 遴答黹,技术洛达技术的导演,所述基于5G站功率放大器将由砷化镓和氮化镓的处理,因为它由能量(PowerHandle)驱动为主,和性能是指示器校长。 但是,这样的过程需要更多的校准程序(校准),并且成本会更高。 但是,与移动应用相比,基站的总数相对较少,因此即使成本稍高,客户仍然可以接受。 林彪之指出,以功率为主导的特性将使GaN比GaAs更具优势。由于频率更高,通常可以信任GaN。 在5G时代,GaN将很有可能取代横向扩散金属氧化物半导体(LateralDiffusedMOS,LDMOS)。 功率放大器移动电话的一部分,2G是目前半导体工艺的互补金属氧化物(CMOS),3G和4G是过程砷化镓和5G是关于GaN的过程非常乐观由于高频率技术也可以使张力持续更长时间。 林彪之分析,在接下来的5G时代,预计用于手机功率放大器的半导体工艺将是半GaAs / GaN和半CMOS。 频率低于6 GHz的半导体技术将以砷化镓和氮化镓工艺为主。由于天线与电磁波的波长成正比,而高频天线相对较大,必须采用大功率技术来实现它。因此,很有可能成为世界的天线。砷化镓和氮化镓工艺。 林彪还指出,GaN工艺有一种支持高功率的方法,这是CMOS无法实现的。 除非5G技术具有使用小功率集成到空中的手段,否则CMOS工艺将有机会覆盖这部分市场。 但是,在5GmmWave频段,它将基于CMOS工艺。 林彪之还表示,由于mmWave频段使用的天线相对较小,它将基于CMOS工艺,如CPU,GPU,ASIC等。该工艺与化合物半导体有很大不同,价格高于镓/氮化砷,镓工艺低。 此外,CMOS工艺的应用也是比较大的,并且现在广泛中的开关(开关)所使用的,并且切换使用的GaN是比较困难,因为它们是双极结型晶体管的过程。(BipolarJuncTIonTransistor,BJT)。 由于能源需求较低,基于价格的应用,例如物联网,也可以是可以使用CMOS工艺的地方。 GaN在RF应用中脱颖而出的三个原因。 镓(Ga)是原子序数为31的化学元素。 镓在自然界中没有自由状态,但它是锌和铝生产的副产品。 GaN化合物由镓原子和氮原子组成,最常见的是纤锌矿的晶体结构。 纤锌矿的晶体结构(如下所示)是六边形的,其特征在于两个晶格常数(图中标记为a和c)。 在半导体领域中,GaN通常在高温(大约1100℃)通过对异质衬底(碳化硅[原文如此]RF应用和硅[硅]应用功率电子器件的金属气相沉积而沉积)。由MOCVD制造)或分子束外延(MBE)技术。 GaN-on-SiC方法结合了GaN的高功率密度和优异的导热性以及SiC的低RF损耗。 这就是为什么GaN-on-SiC是高功率密度RF应用的组合的原因。 如今,GaN-on-SiC衬底的直径可达6英寸。GaN-on-Si的热效率低得多,并且具有更高的RF损耗,但成本要低得多。 这就是为什么GaN-on-Si已经成为价格敏感的电力电子应用的组合的原因。 如今,GaN-on-Si基板的直径可达12英寸。 那么,为什么GaN优于射频应用中的其他半导体呢? 与Si和GaAs等其他半导体相比,GaN是一种相对较新的技术,但它已成为某些高功率,高频RF应用的首选技术,例如需要远程或功率范围的应用。高(如雷达,基站收发台[BTS],卫星通信,电子战[EW]等)。
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